КТ8102А транзистор PNP (16А 200В) 150W

КТ8102А транзистор PNP (16А 200В) 150W

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкео(і), В	Iдоmax(и), мА	Pдоmax(т), Вт	h21е	Iкбо, мкА	fгр., МГц	UкЕН, В
КТ8102А	p-n-p	200	160	16000	(150)	20	2000	10	<2
КТ8102Б		160	120	16000	(150)	20	2000	10	<2

Корпус:

КТ8102А
Транзистори КТ8102А кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p універсальні. 
Призначені для застосування у віконцевих каскадах підсилювачів звукової частоти, стабілізаторах напруги, перетворювачах. 
Випускаються в пластмасовому корпусі з жорсткими виведеннями. 
Тип приладу вказується в етикетці.
Маса транзизора не більш ніж 2,5 г.

Основні технічні характеристики транзистори КТ8102А:
• Структура транзизора: p-n-p;
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 2 Вт;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 150 Вт;
• fГ ― Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним емітером: не менш ніж 10 мГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 200 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 6 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 16 А;
• Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 25 А;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база й розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 1 мА (200В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 20;
• Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 1000 ПФ;
• Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 3,3 Ом