КТ837Х транзистор PNP (7,5А 180В) (h21Э >15) 30W (ТО220)
32,80 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- Нет в наличии
- Код: КТ837Х
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
КТ837Х
Транзисторы КТ837Х кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.
Характеристики транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ837А | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 10…40 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Б | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 20…80 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837В | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 50…150 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Г | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 10…40 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Д | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 20…80 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Е | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 50…150 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Ж | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 10…40 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837И | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 20…80 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837К | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 50…150 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Л | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 10…40 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837М | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 20…80 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Н | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 50…150 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837П | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 10…40 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Р | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 20…80 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837С | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 50…150 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Т | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 10…40 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837У | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 20…80 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Ф | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 50…150 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
| КТ837Х | p-n-p | 7,5 | - | 180 | 180 | 5 | 1 (30) | >15 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60…+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 180 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 7.5 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| исполнение | Дискретное |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 32,80 ₴