IRG4PF50WDPBF транзистор IGBT N-CH 900V 51A TO-247 200W
422,10 ₴
- Под заказ
- Код: IRG4PF50WDPBF/IT
Отправка с 27 мая 2026
IRG4PF50WDPBF транзистор IGBT N-CH 900V 51A TO-247 200WПод заказ
422,10 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IRFP 260N транзистор MOSFET N-CH 200V 50A TO-247 300W
IRG4PF50WDPBF N-CHANNEL IGBT
900V 51A RDS(on) = 0.04Ω
| Производитель: | International Rectifier | |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| RoHS: |  Подробности |
|
| Конфигурация: | Single | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 900 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 2.25 V | |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | +/- 20 V | |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 51 A | |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | 100 nA | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Упаковка / блок: | TO-247-3 | |
| Упаковка: | Tube | |
| Торговая марка: | International Rectifier | |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 51 A | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Pd ― рассеивание мощности: | 200 W | |
| Размер фабричной упаковки: | 25 |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 900 В |
| Максимально допустимый ток стока | 51 А |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
| MOSFET N-CH | 900V 51A |
| Цоколь лампи | G4 |
Информация для заказа
- Цена: 422,10 ₴
- Способ упаковки: полета 25шт.