IRG4PF50WDPBF транзистор IGBT N-CH 900V 51A TO-247 200W
417,10 ₴
- Під замовлення
- Код: IRG4PF50WDPBF/IT
Відправка з 17 березня 2026
IRG4PF50WDPBF транзистор IGBT N-CH 900V 51A TO-247 200WПід замовлення
417,10 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IRFP 260N транзистор MOSFET N-CH 200V 50A TO-247 300W
IRG4PF50WDPBF N-CHANNEL IGBT
900V 51A RDS(on) = 0.04Ω
| Производитель: | International Rectifier | |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| RoHS: |  Подробности |
|
| Конфигурация: | Single | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 900 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 2.25 V | |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | +/- 20 V | |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 51 A | |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | 100 nA | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Упаковка / блок: | TO-247-3 | |
| Упаковка: | Tube | |
| Торговая марка: | International Rectifier | |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 51 A | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Pd ― рассеивание мощности: | 200 W | |
| Размер фабричной упаковки: | 25 |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 51 А |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
| MOSFET N-CH | 900V 51A |
| Цоколь лампи | G4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 417,10 ₴
- Спосіб упаковки: польоту 25шт.