HGTG30N60A4 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) N-C 600V 30A TO-247 463W
276,70 ₴
- Нет в наличии
- Код: HGTG30N60A4
HGTG30N60A4 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) N-C 600V 30A TO-247 463WНет в наличии
276,70 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
IRGP50B60PD1PBF биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp2 150kHz 50A TO-247 390W
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| RoHS: |  Подробности |
|
| Конфигурация: | Single | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 600 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.8 V | |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | +/- 20 V | |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 75 A | |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | +/- 250 nA | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Упаковка / блок: | TO-247-3 | |
| Упаковка: | Tube | |
| Торговая марка: | Fairchild Semiconductor | |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 75 A | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Pd ― рассеивание мощности: | 463 W | |
| Серия: | HGTG30N60 | |
| Размер фабричной упаковки: | 30 | |
| Другие названия товара №: | HGTG30N60A4_NL | |
| Вес изделия: | 6,390 g |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 463 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
Информация для заказа
- Цена: 276,70 ₴
- Способ упаковки: полета 25шт.