
FGL60N100BNTD биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) N-C 1000V 60A TO-247 463W
304,80 ₴
- Под заказ
- Код: J60N100/ IT
Отправка с 09 июня 2026+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
FGL60N100BNTD биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 1000V Warp2 150kHz 60A TO-264 180W
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| RoHS: | Подробности |
|
| Конфигурация: | Single | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 1000 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.5 V | |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | +/- 25 V | |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 60 A | |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | +/- 500 nA | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Упаковка / блок: | TO-264-3 | |
| Упаковка: | Tube | |
| Торговая марка: | Fairchild Semiconductor | |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 60 A | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Pd ― рассеивание мощности: | 180 W | |
| Серия: | FGL60N100BNTD | |
| Размер фабричной упаковки: | 375 | |
| Другие названия товара №: | FGL60N100BNTD_NL | |
| Вес изделия: | 6.756 g |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 180 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 1000 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
Информация для заказа
- Цена: 304,80 ₴
- Способ упаковки: полета 25шт.





Подробности