STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
82,10 ₴
- В наличии
- Код: STGB10NB37LZT4 kh rep
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBTВ наличии
82,10 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS: Технология: Si
Упаковка / блок:D2PAK-3
Вид монтажа:SMD/SMT
Конфигурация:Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:440 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:16 V
Минимальная рабочая температура:- 65 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Серия:STGB10NB37LZ
Упаковка:Cut Tape
Упаковка:Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:20 A
Высота:4.6 mm
Длина:10.4 mm
Ширина:9.35 mm
Торговая марка:STMicroelectronics
Квалификация:AEC-Q100
Вес изделия: 2,240 g
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 600V 10A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Информация для заказа
- Цена: 82,10 ₴