STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
81,10 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- В наявності
- Код: STGB10NB37LZT4 kh rep
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBTВ наявності
81,10 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
STGB10NB37LZT4 транзистор IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS: Технология: Si
Упаковка / блок:D2PAK-3
Вид монтажа:SMD/SMT
Конфигурация:Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:440 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:16 V
Минимальная рабочая температура:- 65 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Серия:STGB10NB37LZ
Упаковка:Cut Tape
Упаковка:Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:20 A
Высота:4.6 mm
Длина:10.4 mm
Ширина:9.35 mm
Торговая марка:STMicroelectronics
Квалификация:AEC-Q100
Вес изделия: 2,240 g
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 600V 10A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 81,10 ₴
- Спосіб упаковки: польоту