G50EF5 (G50N65) (FGA50T65) Infineon транзистор із ізольованим затвором (IGBT) 650V 80A 270W - 305W TO247В
281,40 ₴
- В наличии
- Код: G50EF5 sokh
G50EF5 (G50N65) (FGA50T65) Infineon транзистор із ізольованим затвором (IGBT) 650V 80A 270W - 305W TO247ВВ наличии
281,40 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
G50EF5 (G50N65) транзистор с изолированным затвором (IGBT) 80A 650V
IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
| Категория продукта: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Производитель: | Infineon | |
| Конфигурация: | Single | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 650 V | |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 80 A | |
| Упаковка / блок: | TO-247AC-3 | |
| Торговая марка: | Infineon | |
| Высота: | 20.7 mm (Max) | |
| Длина: | 15.87 mm (Max) | |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | +/- 20 V | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Ширина: | 5.31 mm (Max) |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 305 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
Информация для заказа
- Цена: 281,40 ₴