IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74W
56,80 ₴
Показать оптовые цены- В наличии
- Оптом и в розницу
- Код: IRFBE30
IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74WВ наличии
56,80 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 125W
N-CHANNEL 800V ― 3.0 OHM ― 4.1A ― TO-220 POWERMESH MOSFET
| Производитель: | Vishay | |
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| RoHS: | Нет | |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors | |
| Id ― непрерывный ток утечки: | 4.1 A | |
| Vds ― напряжение пробоя сток-исток: | 600 V | |
| Rds Вкл ― сопротивление сток-исток: | 3.0 Ohms | |
| Полярность транзистора: | N-Channel | |
| Vds ― напряжение пробоя затвор-исток: | 20 V | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Pd ― рассеивание мощности: | 125 W | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 | |
| Упаковка: | Tube | |
| Канальный режим: | Enhancement | |
| Конфигурация: | Single | |
| Время спада: | 30 ns | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Время нарастания: | 33 ns | |
| Размер фабричной упаковки: | 50 | |
| Типичное время задержки выключения: | 82 ns |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.1 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 800V 4.1A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Информация для заказа
- Цена: 56,80 ₴