IRFB4227 транзистор MOSFET N-CH TO220 (200V; 65A; 24 mOhm) 330W
139 ₴
- Під замовлення
- Код: IRFB4227
Відправка з 30 березня 2026
IRFB4227 транзистор MOSFET N-CH TO220 (200V; 65A; 24 mOhm) 330WПід замовлення
139 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IRFB4227 транзистор MOSFET N-CH TO220 (200V; 65A; 330W; 24 mOhm)
Зображення слугують лише для того, щоб ознаменувати
Див. специфікації продукту
| Product Category: | MOSFET | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Technology: | Si | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package/Case: | TO-220-3 | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | |
| Id - Continuous Drain Current: | 65 A | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Brand: | Infineon / IR | |
| Configuration: | Single | |
| Fall Time: | 31 ns | |
| Height: | 15.65 mm | |
| Length: | 10 mm | |
| Pd - Power Dissipation: | 330 W | |
| Rise Time: | 20 ns | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns | |
| Width: | 4.4 mm | |
| Unit Weight: | 6 g |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 312 Вт |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 139 ₴
- Спосіб упаковки: полета 50ШТ