IRF 9630 транзистор MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W
60,60 ₴
- В наличии
- Код: IRF 9630
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
IRF 9630 транзистор MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
|
Product Attribute
Attribute Value
Search Similar
Product Category:
MOSFET
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Package/Case:
TO-220-3
Number of Channels:
1 Channel
Transistor Polarity:
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
200 V
Id - Continuous Drain Current:
6.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:
800 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:
20 V
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
Pd - Power Dissipation:
75 W
Configuration:
Single
Channel Mode:
Enhancement
Height:
16.3 mm
Length:
10.67 mm
Series:
Transistor Type:
1 P-Channel
Width:
4.7 mm
Brand:
ON Semiconductor / Fairchild
Fall Time:
40 ns
Product Type:
MOSFET
Rise Time:
50 ns
Subcategory:
MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:
50 ns
Typical Turn-On Delay Time:
30 ns
Unit Weight:
2,565 g
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип полевого транзистора | С управляющим p-n переходом |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 200V 11A |
| исполнение | Дискретное |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Цена: 60,60 ₴
- Способ упаковки: полета 50pcs