2Т364Б-2 транзистор безкорпусний PNP 250 vГц (0,4А 20В) (h21э: 40-120)
46,30 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- В наявності
- Код: 2Т364Б-2
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
2Т364Б-2
Транзисторы 2Т364Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в индивидуальной сопроводительной таре.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,006 г.
Технические условия: ЩТ3.365.060 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т364Б-2:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс
Характеристики транзисторов 2Т364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2, КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 2Т364А-2 | p-n-p | 200 | 400 | 20 | 25 | 5 | 30 | 20…70 | 0,3 | 1 | 1 | >250 | - | 15 | 30 | 125 | -60…+85 |
| 2Т364Б-2 | p-n-p | 200 | 400 | 20 | 25 | 5 | 30 | 40…120 | 0,3 | 1 | 1 | >250 | - | 15 | 30 | 125 | -60…+85 |
| 2Т364В-2 | p-n-p | 200 | 400 | 20 | 25 | 5 | 30 | 80…240 | 0,3 | 1 | 1 | >250 | - | 15 | 30 | 125 | -60…+85 |
| КТ364А-2 | p-n-p | 200 | 400 | 20 | 25 | 5 | 30 | 20…70 | 0,3 | 1 | 1 | >250 | - | 15 | 30 | 125 | -40…+85 |
| КТ364Б-2 | p-n-p | 200 | 400 | 20 | 25 | 5 | 30 | 40…120 | 0,3 | 1 | 1 | >250 | - | 15 | 30 | 125 | -40…+85 |
| КТ364В-2 | p-n-p | 200 | 400 | 20 | 25 | 5 | 30 | 80…240 | 0,3 | 1 | 1 | >250 | - | 15 | 30 | 125 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 15 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.5 А |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| виготовлення | Дискретне |
| Країна походження | СРСР |
- Ціна: 46,30 ₴