2Т203Г транзистор PNP (30мА 60В) (h21Э >40)Au (ТО18)
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
|
2Т203Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Транзисторы 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩЫ3.365.007 ТУ.
Характеристики транзисторов 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д:
Тип
транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max |
h21Э |
UКЭ
нас. |
IКБО |
IЭБО |
f гp. |
КШ |
СК |
СЭ |
| мА |
мА |
В |
В |
В |
мВт |
|
В |
мкА |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| 2Т203А |
p-n-p |
10 |
50 |
60 |
60 |
30 |
150 |
>9 |
0,5 |
1 |
- |
>5 |
- |
10 |
- |
150 |
-60…+125 |
| 2Т203Б |
p-n-p |
10 |
50 |
30 |
30 |
15 |
150 |
30…90 |
1 |
1 |
- |
>5 |
- |
10 |
- |
150 |
-60…+125 |
| 2Т203В |
p-n-p |
10 |
50 |
15 |
15 |
10 |
150 |
15…100 |
0,5 |
1 |
- |
>5 |
- |
10 |
- |
150 |
-60…+125 |
| 2Т203Г |
p-n-p |
10 |
50 |
60 |
60 |
30 |
150 |
>40 |
0,5 |
1 |
- |
>10 |
- |
10 |
- |
150 |
-60…+125 |
| 2Т203Д |
p-n-p |
10 |
50 |
15 |
15 |
10 |
150 |
60…200 |
0,35 |
1 |
- |
>10 |
- |
10 |
- |
150 |
-60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
|
кремниевый транзистор, p-n-p
