ГТ115Б

маломощный германиевый сплавной транзистор

Тип прибора	Структу- -ра	PК max P*К,тmax P**К,иmax мВт	fгр      f*h21б f**h21э f***max МГц	UКБО U*КЭR U**КЭО  В	UЭБО В	IK max I*K,иmax мА	I КБО I*КЭR I**КЭО  мкА	h21э,  h*21Э	Ск  С*12э   пФ	rКЭнас r*БЭнас Ом	Кш дб r*б Ом P**вых	τК пс     t*рас t**выкл t***пк нс	Корпус
ГТ115А	p-n-p	50	≥1*	20	20	30	≤40	20-80	-	-	-	-
ГТ115Б	p-n-p	50	≥1*	30	20	30	≤40	20-80	-	-	-	-
ГТ115В	p-n-p	50	≥1*	20	20	30	≤40	60-150	-	-	-	-
ГТ115Г	p-n-p	50	≥1*	30	20	30	≤40	60-150	-	-	-	-
ГТ115Д	p-n-p	50	≥1*	20	20	30	≤40	125-250	-	-	-	-

P_{К max-}      максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
P^*_{К,т max-  постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом}
P^**_{К,и max-} максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора

f_гр   -    граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f^*_h21б - предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общей базой
f^**_h21э -предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f^***_max -максимальная частота генерации

U_КБО -    пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U^*_КЭR -   пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном  токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер
U**_КЭО  - пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном  токе коллектора и разомкнутой цепи базы

U_ЭБО -     пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

I_{K max -}       максимально допустимый постоянный ток коллектора
I^* _{K,и max -} максимально допустимый импульсный ток коллектора

I _{КБО  -}    обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
I^*_{КЭR -}     обратный ток коллектор - эмиттер  при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер
I**_{КЭО -}   обратный ток коллектор - эмиттер  при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы

h_21э, -   статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером

h^*_21Э -  статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме большого сигнала для схем с общим эмиттером

С_к    -   емкость коллекторного перехода

r_КЭнас -  сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
r*_БЭнас  - сопротивление насыщения между базой и эмиттером

К_ш  -     коэффициент шума транзистора
r^*_б  -      сопротивление базы
P^**_вых - выходная мощность транзистора

τ_К  -      постоянная времени  цепи обратной связи  на высокой частоте
t*_рас -   время рассасывания 
t**_выкл- время выключения