2Т203Б (аналог КТ203Б) транзистор PNP (30 мА 30В) (h21Е 30…90) Au (ТО18) (військове приймання по якості)
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
|
2Т203Б
Транзистори кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p посилені.
Транзистори 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д призначені для застосування в підсилювачах і імпульсних пристроях.
Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.
Тип корпусу: КТ-1-7.
Технічні умови: ЩИ3.365.007 ТУ.
Характеристики транзисторов 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д:
Тип
транзизора |
Структура |
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C |
Значення параметрів за Тп = 25 °C |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max |
h21Э |
UКЭ
нас. |
IКБО |
IЭБО |
f гp. |
КШ |
СК |
СЭ |
| мА |
мА |
В |
В |
В |
мВт |
|
В |
мкА |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| 2Т203А |
p-n-p |
10 |
50 |
60 |
60 |
30 |
150 |
>9 |
0,5 |
1 |
- |
>5 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
| 2Т203Б |
p-n-p |
10 |
50 |
30 |
30 |
15 |
150 |
30…90 |
1 |
1 |
- |
>5 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
| 2Т203В |
p-n-p |
10 |
50 |
15 |
15 |
10 |
150 |
15…100 |
0,5 |
1 |
- |
>5 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
| 2Т203Г |
p-n-p |
10 |
50 |
60 |
60 |
30 |
150 |
>40 |
0,5 |
1 |
- |
>10 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
| 2Т203Д |
p-n-p |
10 |
50 |
15 |
15 |
10 |
150 |
60…200 |
0,35 |
1 |
- |
>10 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
|
кремнієвий транзистор, p-n-p
