|
КТ503А
Транзисторы КТ503А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: аА0.336.183 ТУ/02.
Технические характеристики транзисторов КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е:
Тип
транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭ0 max |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max
(РК. Т. max) |
h21Э |
UКЭ
нас. |
IКБО |
IЭБО |
f гp. |
КШ |
СК |
СЭ |
| А |
А |
В |
В |
В |
Вт |
|
В |
мкА |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| КТ503А |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
25 |
40 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
| КТ503Б |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
25 |
40 |
5 |
0,35 |
80...240 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
| КТ503В |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
40 |
60 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
| КТ503Г |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
40 |
60 |
5 |
0,35 |
80...240 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
| КТ503Д |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
60 |
80 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
| КТ503Е |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
80 |
100 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
|
1
350
1
350
1
350
1
350
1
350
1
350
