КТ660А транзистор NPN (800мА 45В) (h21э:110-220) 0,5W (ТО92) (аналог BС337, BC338 )
5,60 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: КТ660А SOKH
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
КТ660А
Транзисторы КТ660А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
На транзистор наносится условная цветная маркировка:
- КТ660А - одна синяя полоса,
- КТ660Б - две синие полосы.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Технические условия: аА0.336.669 ТУ.
Технические характеристики транзисторов КТ660А, КТ660Б:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | мкА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ660А | n-p-n | 0,8 | 1 | 45 | 50 | 5 | 0,5 | 110…220 | <0,5 | <1 | <0,5 | - | >200 | <10 | - | 150 | -40…+85 |
| КТ660Б | n-p-n | 0,8 | 1 | 30 | 30 | 5 | 0,5 | 200…450 | <0,5 | <1 | <0,5 | - | >200 | <10 | - | 150 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Інтеграл + |
| Максимальна потужність розсіювання | 1 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 25 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 1.5 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| виготовлення | Дискретне |
| Країна походження | СРСР |
| Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 5,60 ₴