П216Г транзистор германієвий PNP (7,5А 50В) (h21Э 5) 30W
21,10 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 50 грн
- В наличии
- Код: П216Г
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
П216Г
Транзисторы П216Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Технические условия: СИ3.365.017 ТУ.
Технические характеристики транзисторов П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБ | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| П216 | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 40 | 15 | (30) | >18 | 0,75 | 0,5 | 40 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216А | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 40 | 15 | (30) | 20…80 | 0,75 | 0,5 | 40 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216Б | p-n-p | 7,5 | - | 30 | 30 | 15 | (24) | >10 | 0,5 | 1,5 | 20 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216В | p-n-p | 7,5 | - | 30 | 30 | 15 | (24) | >30 | 0,5 | 2 | 20 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216Г | p-n-p | 7,5 | - | 50 | 50 | 15 | (24) | >5 | 0,5 | 2,5 | 50 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
| П216Д | p-n-p | 7,5 | - | 50 | 50 | 15 | (24) | 15…30 | 0,5 | 2 | 20 | 0,1 | - | - | - | 85 | -60…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 40 В |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| исполнение | Дискретное |
- Цена: 21,10 ₴