КП501А, (ZVN2120) транзистор N-канальный с изолированным затвором (TO-92)

КП501А, Транзистор N-канальный с изолированным затвором (TO-92) КП501А Кремниевые полевые n-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала. Изготавлены по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом. Транзисторы КП501А предназначены для работы в качестве элемента коммутации в телефонных аппаратах, аппаратуре средств связи и иной электроннной аппаратуре. Корпус: TO-92 (КТ-26). КП501А Транзисторы КП501А, КП501Б, КП501В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в аппаратуре средств связи, телефонных аппаратах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Тип корпуса:TO-92 (КТ-26). Технические условия: АДБК.432140.485 ТУ. Прототип: ZVN2120. Характеристики полевых МОП транзисторовов с каналом n-типа КП501А, КП501Б, КП501В: Тип полевого транзистора Р МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ПОР RCИ отк IЗ УТ S IС ОСТ C11И C12И C22И КШ КУР мВт МГц В В В мА В Ом нА мА/В мкА пФ пФ пФ дБ дБ °С КП501А 500 - 240 - ±20 180 1…3 <10 <20 - <10 - - - - - -40…+85 КП501Б 500 - 200 - ±20 180 1…3 <10 <20 - <10 - - - - - -40…+85 КП501В 500 - 200 - ±20 180 1…3 <20 <20 - <10 - - - - - -40…+85 Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: • Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора. • f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора. • UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток. • UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток. • UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток. • IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора. • UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. • RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора. • g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой. • S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. • IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения. • C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком. • C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. • C22И - выходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. • КШ - коэффициент шума транзистора. • КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора. • Т ОКР - температура окружающей среды.