КТ8130Б транзистор составной (Дарлингтон) PNP (4А 60В) 8W (ТО126)

КТ8130Б транзистор составной (Дарлингтон) PNP (4А 60В) 8W (ТО126) Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ8130Б p-n-p 60 60 4000 (8) 750 1000 200 <1.5 КТ8130А 40 40 4000 (8) 750 1000 200 <1.5 Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт при T = 25°C IК, maxА IК и. max А UКЭR max, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт T, °C Tп max, °C Tmax, °C h21Э UКБ, В IЭ(IК), мА UКЭ нас, В IКЭR, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tрас, мкс КТ973 А 4 60 60 5 8 150 85 750 3 1,5 1 200 0,2 15,6 КТ973 Б 4 45 45 5 8 150 85 750 3 1,5 1 200 0,2 15,6