КТ808БМ транзистор кремниевый NPN (10А 160В) 60W

КТ808БМ транзистор NPN (10А 160В) 60W Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ808АМ n-p-n 120(250) 120(250) 10000 (60) 20-125 2000 8 <2.5 КТ808БМ 100(160) 100(160) 10000 (60) 20-125 2000 8 <2.5 КТ808ВМ 80(135) 80(135) 10000 (60) 20-125 2000 8 <2.5 КТ808ГМ 70(80) 70(80) 10000 (60) 20-125 2000 8 <2.5 Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер