КТ808БМ транзистор кремнієвий NPN (10А 160В) 60W

КТ808БМ транзистор NPN (10А 160 В) 60 W Наїмен. тип Uкбо (і), В Uкео (і), В Iкmax (і), мА Pкmax (т), Вт h21е Iкбо, мкА fгр., МГц Uкен, В КТ808АМ n-p-n 120(250) 120(250) 20-125 82000) 80(135) 80(135) 10000 (60) 20-125 2000 8 <2.5 КТ808ГМ 70(80) 70(80) 10000 (60) 20-125 2000 8 <2.5 Корпус: Uкбо — Максимально допустима напруга колектор-база Uкбої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-база Uкео — Максимально допустима напруга колектор-емітер Uкеої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-емітер Iкmax — Максимально допустимий постійний струм колектора Iкmax і — Максимально допустимий імпульсний струм колектора Pкmax — Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без тепловідведення Pкmax т — Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням h21e — Статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистори в схемі із загальним еміттером Iкбо — Зворотний струм колектора fгро — гранічна частота коефіцієнта передавання струму в схемі із загальним імітером Uкen — напруга насичення колектор-емітер