2ТС613Б (Ni) транзисторная матрица 5-я приемка. (1985г.)

2ТС613Б Транзисторная матрица 5-я приемка. (1985-1989г.) Транзисторные матрицы 2ТС613Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса матрицы не более 4 г. Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС613Б: • Структура транзисторной сборки: n-p-n; • Рк max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 800 мВт; • fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max ― Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо ― Обратный ток коллектора ― ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мкА (60В); • h21э ― Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200; • Ск ― Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас ― Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом; • tрас ― Время рассасывания: не более 100 нс