2ТС613Б (Ni) транзисторна матриця 5-я приймання. (1985г.)

2ТС613Б Транзисторна матриця 5-я приймання. (1985-1989г.) Транзисторні матриці 2ТС613Б, що складаються з чотирьох електрично ізольованих кремнієвих епітаксиально-планарних структури n-p-n перемикальних високочастотних транзисторів. Призначені для застосування в швидкодійних імпульсних і перемикальних пристроях, різних каскадах обчислювальних машин та іншої радіоелектронної апаратури. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Тип приладу вказаний на корпусі. Маса матриці не більш ніж 4 г. Основні технічні характеристики транзиссторного збирання 2ТС613Б: • Структура транзисторного збирання: n-p-n; • РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 800 мВт; • fг ― Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним емітером: не менш ніж 200 МГц; • Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 60 В; • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 4 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 400 мА; • Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 800 мА; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база й розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 8 мкА (60 В); • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: 40... 200; • Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 15 пФ; • Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 2,5 Ом; • tрас — Час розсмоктування: не більш ніж 100 нс