STGW40V60DF N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT 283W

187,60 ₴

STGW40V60DF N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT 283WВ наличии

187,60 ₴

+380 (97) 608-12-04

Kyivstar

+380 (97) 608-12-04

Kyivstar

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

Manufacturer:	STMicroelectronics
Product Category:	IGBTs
RoHS:
Technology:	Si
Package/Case:	TO-247
Mounting Style:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Pd - Power Dissipation:	283 W
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Series:	STGW40V60DF
Packaging:	Tube
Brand:	STMicroelectronics
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Product Type:	IGBT Transistors
	25
Subcategory:	IGBTs
Unit Weight:	6,500 g

Характеристики

Основные
Производитель	STMicroelectronics
Страна производитель	Китай
Максимальная мощность рассеивания	283 Вт
Максимально допустимое напряжение сток-исток	600 В
Максимально допустимый ток стока	40 А
Материал корпуса	Металлокерамика
Тип монтажа	Ручной монтаж
Тип транзистора	Полевой
Пользовательские характеристики
Data sheet:	скачать PDF в спецификации
MOSFET N-CH	500V 20A
Корпус транзистора:	ТО247

Информация для заказа