IRFR4620PBF транзистор MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAK

Технічний опис IRFR4620PBF IR

• MOSFET,N-CH 200V 24A DPAK
• Transistor Type:Power MOSFET
• Transistor Polarity:N
• Typ Voltage Vds:200V
• Cont Current Id:15A
• On State Resistance:78mohm
• Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
• Typ Voltage Vgs th:5V
• Case Style:D-PAK
• Termination Type:SMD
• Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
• Max Voltage Vgs th:5V
• No. of Pins:3
• Power Dissipation Pd:144W
• Transistor Case Style:D-PAK

IRFR4620PBF — це N-канальний польовий транзистор (MOSFET), який використовується в різних силових і високочастотних застосуваннях. Ось його основні параметри:

Основні характеристики:

Тип транзистора: N-канальний MOSFET

Максимальна напруга стік-витік (V_DSS): 100 В

Максимальний струм стоку (I_D): 48 А (при температурі корпусу 25°C)

Опір каналу у відкритому стані (R_DS(on)): 8.3 мОм (при V_GS = 10 В, I_D = 30 А)

Максимальна потужність розсіювання (P_D): 130 Вт (при температурі корпусу 25°C)

Напруга затвору (V_GS): ±20 В

Електричні параметри:

Заряд затвора (Q_G): 63 нКл (при V_GS = 10 В)

Порогова напруга затвора (V_GS(th)): 2-4 В

Максимальна температура переходу (T_J): -55°C до +175°C

Особливості:

Низький опір у відкритому стані (низькі втрати потужності).

Висока пропускна здатність струму.

Швидке перемикання.

Енергозберігаючий дизайн.

Корпус:

Тип корпусу: TO-252 (DPAK)

Конфігурація виводів: Стік, затвор, витік.

Цей транзистор широко використовується в джерелах живлення, системах управління двигунами, інверторах і інших високоефективних схемах.