HY3506 транзистор MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W
84,50 ₴
- В наличии
- Код: HY3506
HY3506 транзистор MOSFET N-CH 60V, 190A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150WВ наличии
84,50 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
HY3506 транзистор MOSFET N-CH 60V, 110A, 3,5mΩ (Vgs=2-4V) 150W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Польовий транзистор
КаналN
Корпус TO-220
Макс. напруга drain-source (Uds), 60v
Макс. напруга gate-source (Ugs), 25v
Макс. імпульсний струм drain (Id), 750 A
Макс. потужність, що розсіюється (Pd), 153W
Макс. температура каналу (Tj), 175°C
Опір drain-source відкритого транзистора (Rds), 0.035Ом
Вихідна ємність (Cd), 1010pF
Час наростання типовий (tr), 12nS
Макс. постійний струм drain (Id), 190A
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 153 Вт |
| Максимально допустимый ток стока | 190 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Полевой |
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Информация для заказа
- Цена: 84,50 ₴