HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W
51,60 ₴
- Под заказ
- Код: HY3208P kh orig
Отправка с 16 июня 2026
HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226WПод заказ
51,60 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Наименование прибора: HY3208P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 226 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220FB
|
|
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Информация для заказа
- Цена: 51,60 ₴