2SA1943 Bipolar Transistors PNP - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
92,70 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- В наявності
- Код: 2SA1943 kh rep
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Manufacturer:
Toshiba
Product Category:
Bipolar Transistors - BJT
RoHS:
Mounting Style:
Through Hole
Package/Case:
TO-3P-3
Transistor Polarity:
PNP
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
230 V
Collector- Base Voltage VCBO:
230 V
Emitter- Base Voltage VEBO:
5 V
Maximum DC Collector Current:
15 A
Gain Bandwidth Product fT:
30 MHz
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
Series:
Height:
26 mm
Length:
20.5 mm (Max)
Width:
5.2 mm (Max)
Brand:
Toshiba
DC Collector/Base Gain hFE Min:
80
Pd - Power Dissipation:
150000 mW
Product Type:
BJTs - Bipolar Transistors
100
Subcategory:
Transistors
Unit Weight:
6,756 g
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Philips |
| Країна виробник | Китай |
| Максимально допустима напруга колектор-база | 230 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 15 А |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Collector-Emitter Voltage | 700V |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| NPN | POWER TRANSISTOR |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
| Струм колектора | 8А |
- Ціна: 92,70 ₴
- Спосіб упаковки: упаковка 30 шт