HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W
79,80 ₴
- Нет в наличии
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237WНет в наличии
79,80 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch.
Технічні характеристики
Найменування приладу: HY3210P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 237 W
Гранично допустима напруга стік-витік |Uds|: 100 V
Гранично допустиме напруження затвор-витік | Ugs |: 25 V
|порогове напруження включення | УГС (th) |: 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id |: 120 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 120 nC
Час зростання (tr): 35 ns
Вихідна ємність (Cd): 902 pf
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпусу: TO220FB
|
|
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 237 Вт |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Полевой |
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Информация для заказа
- Цена: 79,80 ₴