HY4008P транзистор MOSFET N-CH 80V, 200A, (3,5mΩ при Vgs =10V) 345W
81,10 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- Під замовлення
- Код: HY4008P kh orig
Відправка з 04 квітня 2026
HY4008P транзистор MOSFET N-CH 80V, 200A, (3,5mΩ при Vgs =10V) 345WПід замовлення
81,10 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
HY4008P транзистор MOSFET N-CH 80V, 200A, (3,5mΩ при Vgs =10V) 345W
Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
Найменування приладу: HY4008P
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 345 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 80 V
|Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 200 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 175 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 197 nC
trⓘ - Час зростання: 18 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 1029 pf
Rdsⓘ - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпусу: TO220
|
|
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 345 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 200 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 81,10 ₴