Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Корзина

STP200NF03  транзистор  MOSFET N-CH 30V, 120A, (3,6mΩ при Vgs =10V) 300W

70,40 ₴

  • В наличии
  • Код: STP200NF03 kh rep
STP200NF03   транзистор  MOSFET N-CH 30V, 120A, (3,6mΩ при Vgs =10V) 300W
STP200NF03  транзистор  MOSFET N-CH 30V, 120A, (3,6mΩ при Vgs =10V) 300WВ наличии
70,40 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

STP200NF03   транзистор MOSFET N-CH 30V, 120A, (3,6mΩ при Vgs =10V) 300W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Найменування приладу: STP200NF03
 Маркування: P200NF03
 Тип транзистора: MOSFET
 Полярність: N
 Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 300 W
 |Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 30 V
 |Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
 |Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V
 |Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 120 A
 Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 175 °C
 Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 113 nC
 trⓘ - Час зростання: 195 ns
 Cossⓘ - Вихідна ємність: 1750 pf
 Rdsⓘ - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.0036 Ohm
 Тип корпусу: TO220

 

Характеристики
Основные
ПроизводительPD
Страна производительКитай
Максимальная мощность рассеивания345 Вт
Максимально допустимое напряжение сток-исток80 В
Максимально допустимый ток стока200 А
Материал корпусаПластик
Тип монтажаРучной монтаж
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Data sheet:скачать PDF в спецификации
MOSFET N-CH100V 80A
Корпус транзистора:ТО220
Информация для заказа
  • Цена: 70,40 ₴