
STP200NF03 транзистор MOSFET N-CH 30V, 120A, (3,6mΩ при Vgs =10V) 300W
70,40 ₴
- В наличии
- Код: STP200NF03 kh rep
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
STP200NF03 транзистор MOSFET N-CH 30V, 120A, (3,6mΩ при Vgs =10V) 300W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Найменування приладу: STP200NF03
Маркування: P200NF03
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 300 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 30 V
|Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 120 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 175 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 113 nC
trⓘ - Час зростання: 195 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 1750 pf
Rdsⓘ - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.0036 Ohm
Тип корпусу: TO220
|
|
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 345 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 200 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Цена: 70,40 ₴

