КР159НТ1Б DIP8 матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

КР159НТ1Б DIP8 матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр и типа 201.14-1, масса не более 1,0 гр. Наименование КР159НТ1Б DIP8 Микросхема Функциональный тип транзисторная матрица Типоразмер корпуса отечественный 2101.8-1 Типоразмер корпуса DIP8 Торговая марка ГАО ТОНДИ-ЭЛЕКТРОНИКА (Таллинн) Страна происхождения СССР Вид приемки "1" Материал корпуса пластмасса Наличие паспорта -этикетки есть Вид упаковки пластиковый бокс Состояние упаковки заводская Кратность отгрузки 1 Цвет изделия черный Габаритные размеры L*W*H 9х9х6 Длина корпуса 9 mm Ширина корпуса 6 mm Высота корпуса 3 mm Количество выводов или контактов 8 Длина выводов 7 mm Масса изделия, гр. 0,48 Транслитерация Microcircuit KR159NT1B Интервал рабочих температур от +85 до -60 °С Макс. допустимое напряжение эммитер-база 4 V Макс. допустимое напряжение коллектор-база 20 V Макс. допустимый импульсный ток коллектора 40 mA Макс. допустимый постоянный ток коллектора 10 mA Максимальная мощность рассеивания 50 mW Примечание Дата выпуска не указана Микросхема КР159НТ1Б ― Представляет собой сборку из двух биполярных п-р-п транзисторов, выполненна по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Предназначена для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Корпус типа 2101.8-1