П605А транзистор германієвий PNP (1.5А 40В) (h21Е 50...120)

П605А
Транзисторы П605А германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора с жесткими выводами не более 12 г.
Технические условия: аА0.336.536 ТУ.
Основні технічні характеристики транзистора П605А: • Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 3 Вт;
• Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В;
• Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 1 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1500 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 2000 мкА;
• h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 40... 120;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 130 пФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 40 Ом.
Розшифровка маркування біполярного транзистора:
П605А
П - літера, що означає тип напівпровідникового приладу, де П - площинний транзистор;
605 - число, що вказує на область застосування та вихідний напівпровідниковий матеріал, де від 601 до 699 - германієві потужні транзистори високої та надвисокої частоти;
А - літера, що визначає класифікацію транзисторів за параметрами, виготовленими за єдиним технологічним процесом.

Технические характеристики транзисторов П605, П605А:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.