ГТ321Е p-n-p транзистор германієвий

Назва: Транзистор ГТ321Е (1Т321Е) германієвий p-n-p високочастотний [1, 2]

Опис:
Високочастотний германієвий транзистор ГТ321Е (комплектується також під маркуванням 1Т321Е) застосовується в ключових, генераторних та перемикальних схемах широкого призначення. Напівпровідникові прилади на основі германію мають специфічні звукові властивості та низьке падіння напруги на переходах, тому вони досі користуються значним попитом серед радіоаматорів, розробників аудіо-моддингу (ефектів «fuzz» педалей, підсилювачів) та фахівців з ремонту ретро-електроніки. [1, 2, 3, 4]

Транзистор випускається у класичному металоскляному корпусі типу КТЮ-3-3 (з гнучкими дротовими виводами під DIP-монтаж). Вивід емітера розташований біля кольорової мітки (або спеціального виступу/буртика на корпусі). [1, 2, 3]

Основні технічні характеристики ГТ321Е:

• Матеріал: Германій (Ge)
• Структура напівпровідника: p-n-p
• Максимальна розсіювана потужність (Рк макс): 150–160 мВт
• Гранична частота коефіцієнта передачі струму (fгр): не менше 60 МГц
• Максимальна напруга колектор-емітер (\(U_{ке}\)): 30–45 В
• Максимальний постійний струм колектора (\(I_{к}\)): 200 мА
• Статичний коефіцієнт передачі струму (\(h_{21э}\)): 80...200
• Конструктивне виконання: Металоскляний корпус із гнучкими виводами [1, 4, 5, 6, 7]