КР537РУ10 DIP24 оперативний запам'ятний пристрій статичного типу, виготовлений за КМП технологією

КР537РУ10 DIP24 оперативний запам'ятний пристрій статичного типу, виготовлений за КМОН технології Найменування КР537РУ10 DIP24 Мікросхема Функціональна група Інтегральна Функціональний тип ОЗП Типорозмір корпусу вітчизняний 239.24-2 Типорозмір корпусу DIP24 Дата випуску 01.01.1993 Торгова марка Завод ТРАНЗИСТОР, Мінск Країна походження Білорусь ТУ бКО.348.532-10 ТУ Краєвид приймання "5" Тип паковання палітурки Стан паковання паковання самоупаковка Кратність відвантаження 1 Габаритні розміри L*W*H 31х8х12 Довжина корпусу 31 mm Ширина корпусу 12 mm Висота корпусу 3,2 mm Кількість виводів або контактів 24 Маса виробу, г. 3,16 Завугільні аналоги HM6516-6 Транслітерація Microcircuit KR537RU10 Інтервал робочих температур від -10 до +70 °C Напруга живлення 5 V Діапазон напруги ±5% Вихідна напруга низького рівня не більш ніж 0,4 V; високого рівня не менш ніж 2,8 V Вихідний струм низького рівня не більш ніж 4 mA; високого рівня не більш ніж /-2/ mA Споживаний струм 5 μA Мікросхема КР537РУ10 — являє собою оперативний запам'ятний пристрій статичного типу, виготовлений за КМП технологією. Інформаційна ємність мікросхеми 2048 × 8 біт. Корпус 239.24-2.