КР198НТ5Б DIP14 - матрица p-n-p транзисторов

КР198НТ5Б DIP14 - матрица n-p-n транзисторов Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией. Микросхемы КР198НТ5Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов. Содержат 5 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. Общая информация Наименование КР198НТ5Б DIP14 Микросхема Торговая марка ГАО ТОНДИ-ЭЛЕКТРОНИКА, Таллинн Страна происхождения СССР ТУ бК0.348.483 ТУ ГОСТ ГОСТ I8725-73 Вид приемки "1" Масса изделия, гр. 2 Дата выпуска Наличие паспорта -этикетки Транслитерация Microcircuit KR198NT5В Вид упаковки пластмассовая коробка Доупаковка паллет Состояние упаковки заводская Основные параметры Функциональный тип преобразователь Типоразмер корпуса отечественный 201.14-1 Типоразмер корпуса DIP14 Материал корпуса пластмасса Цвет изделия черный Габаритные размеры L*W*H 18х8х3 Длина корпуса 18 mm Ширина корпуса 6 mm Высота корпуса 3 mm Технические характеристики Макс. допустимое напряжение эммитер-база Uэб 1 V Обратный ток коллектора не более 0,05 µA Условия эксплуатации Интервал рабочих температур от -40 до +85°С Кратность упаковки 300 Примечание (1985-1989гг.) Микросхема КР198НТ1А представляет собой матрицу n-p-n транзисторов. Содержит 5 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1. Содержат 5 интегральных элементов. Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией. Корпус типа 201.14-1.