КР198НТ1Б DIP14 - матрица n-p-n транзисторов

КР198НТ1Б DIP14 - матрица n-p-n транзисторов Общая информация Наименование КР198НТ1Б DIP14 Микросхема Торговая марка ГАО ТОНДИ-ЭЛЕКТРОНИКА, Таллинн Страна происхождения СССР ТУ бК0.348.483 ТУ Вид приемки "1" Масса изделия, гр. 0,89 Дата выпуска 01.01.1989 Наличие паспорта -этикетки есть Транслитерация Microcircuit KR198NT1B Вид упаковки пластмассовая коробка Доупаковка поролон Состояние упаковки самоупаковка Основные параметры Функциональный тип преобразователь Типоразмер корпуса отечественный 201.14-1 Типоразмер корпуса DIP14 Материал корпуса пластмасса Цвет изделия черный Габаритные размеры L*W*H 18х8х3 Длина корпуса 18 mm Ширина корпуса 6 mm Высота корпуса 3 mm Технические характеристики Макс. допустимое напряжение эммитер-база Uэб не более 1 V Обратный ток коллектора не более 0,05 µA Условия эксплуатации Интервал рабочих температур от -45 до +85°C Климатическое исполнение УХЛ 1; 1.1; 2; 2,1; 3; 3,1; 5,1 Микросхема КР198НТ1Б представляет собой матрицу n-p-n транзисторов. Содержит 5 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1 Содержит 5 интегральных элементов. Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией. Общая информация Наименование КР198НТ1А DIP14 Микросхема Торговая марка ГАО ТОНДИ-ЭЛЕКТРОНИКА, Таллинн Страна происхождения СССР ТУ бК0.348.483 ТУ ГОСТ ГОСТ I8725-73 Вид приемки "1" Масса изделия, гр. 2 Дата выпуска 01.01.1987 Наличие паспорта -этикетки есть Транслитерация Microcircuit KR198NT1A Вид упаковки пластмассовая коробка Доупаковка паллет Состояние упаковки заводская Основные параметры Функциональный тип преобразователь Типоразмер корпуса отечественный 201.14-1 Типоразмер корпуса DIP14 Материал корпуса пластмасса Цвет изделия черный Габаритные размеры L*W*H 18х8х3 Длина корпуса 18 mm Ширина корпуса 6 mm Высота корпуса 3 mm Технические характеристики Макс. допустимое напряжение эммитер-база Uэб 1 V Обратный ток коллектора не более 0,05 µA Условия эксплуатации Интервал рабочих температур от -40 до +85°С Кратность упаковки 300 Примечание (1985-1989гг.) Микросхема КР198НТ1А представляет собой матрицу n-p-n транзисторов. Содержит 5 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1. Содержат 5 интегральных элементов. Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией. Корпус типа 201.14-1.