КР198НТ1Б DIP14 — матриця n-p-n транзисторів

КР198НТ1Б DIP14 — матриця n-p-n транзисторів Загальна інформація Найменування КР198НТ1Б DIP14 Мікросхема Торгова марка ГАЙО ТОНДІ-ЕЛЕКТРОНИКА, Таллінн Країна походження СРСР ТУ бК0.348.483 ТУ Тип приймання "1" Маса виробу, гр. 0,89 Дата випуску 01.1989 Наявність паспорта-етикетки є Транслітерація Microcircuit KR198NT1B Тип паковання пластмасова коробка Доупаковка поролон Стан паковання самоупаковка Основні параметри Функціональний тип перетворювач Типорозмір корпусу вітчизняний 201.14-1 Типорозмір корпусу DIP14 Матеріал корпусу пластмаса Колір виробу чорний Габаритні розміри L*W*H 18х8х3 Довжина корпусу 18 mm Ширина корпусу 6 mm Висота корпусу 3 mm Технічні характеристики Макс. допустиме напруження еммітер-база Ueb не більш ніж 1 V Зворотний струм колектора не більш ніж 0,05 μA Умови експлуатації Інтервал робочих температур від -45 до +85 °C Кліматичне виконання УХЛ 1; 1.1; 2; 2,1; 3; 3,1; 5,1 Мікросхема КР198НТ1Б являє собою матрицю n-p-n транзисторів. Містить 5 інтегрованих елементів. Корпус типу 201.14-1 Містить 5 інтегральних елементів. Виготовлена за біполярною технологією з діелектричною ізоляцією. Загальна інформація Найменування КР198НТ1А DIP14 Мікросхема Торгова марка ГАЙО ТОНДІ-ЕЛЕКТРОНІКА, Таллінн Країна походження СРСР ТУ бК0.348.483 ТУ ГОСТ ГОСТ I8725-73 Різновид приймання "1" Маса виробу, гр. 2 Дата випуску 01.1987 Наявність паспорта-еточки є Транслітерація Microcircuit KR198NT1A Тип паковання пластмасова коробка Доупаковка Паллет Стан паковання заводська Основні параметри Функціональний тип перетворювач Типорозмір корпусу вітчизняний 201.14-1 Типорозмір корпусу DIP14 Матеріал корпусу пластмаса Колір виробу чорний Габаритні розміри L*W*H 18х8х3 Довжина корпусу 18 mm Ширина корпусу 6 mm Висота корпусу 3 mm Технічні характеристики Макс. допустима напруга еммітер-база UЕб 1 V Зворотний струм колектора не більш ніж 0,05 μA Умови експлуатації Інтервал робочих температур від -40 до +85 °C Кратність паковання 300 Примітка (1985-1989гг.) Мікросхема КР198НТ1А являє собою матрицю n-p-n транзисторів. Містить 5 інтегрованих елементів. Корпус типу 201.14-1. Містять 5 інтегрованих елементів. Виготовлена за біполярною технологією з діелектричною ізоляцією. Корпус типу 201.14-1.