КТ819ВМ транзистор NPN (20А 70В) 100W (ТО3)

КТ819ВМ транзистор NPN (20А 70В) 100W (ТО3) Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ819АМ n-p-n 40 40 15000 (20000) 2(100) 15-225 1000 3 <2 КТ819БМ 50 50 15000 (20000) 2(100) 20-225 1000 3 <2 КТ819ВМ 70 70 15000 (20000) 2(100) 15-225 1000 3 <2 КТ819ГМ 100 100 15000 (20000) 2(100) 12-225 1000 3 <2 2Т819А 100 100 15000 (20000) 3(100) 20-225 1000 3 <1 2Т819Б 80 80 15000 (20000) 3(100) 20-225 1000 3 <1 2Т819В 60 60 15000 (20000) 3(100) 20-225 1000 3 <1 Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер