Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 26.05)

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Корзина

2Т812Б транзистор NPN (10А 400В) 50W

140,80 ₴

  • В наличии
  • Код: 2Т812Б
2Т812Б транзистор NPN (10А 400В) 50W
2Т812Б транзистор NPN (10А 400В) 50WВ наличии
140,80 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
2Т812Б транзистор NPN (10А 400В) 50W Наименование КТ812Б ТО-3 Транзистор Функциональный тип биполярный Типоразмер корпуса отечественный КТ-9 Структура n-p-n Дата выпуска Торговая марка АО ЭЛЕКТРОНПРИБОР, Фрязино Страна происхождения СССР ТУ аАО.336.052 ТУ ГОСТ 11630-70 Вид приемки "1" Материал корпуса металл со стеклянными изоляторами Тип вывода жесткий Рабочее положение любое Фактическая маркировка 2Т812Б Состояние упаковки самоупаковка Кратность отгрузки 1 Габаритные размеры L*W*H 39х26х23 Высота корпуса 10 mm Длина выводов 13 mm Масса изделия, гр. 13,5 Содержание золота в 1шт, gr 0,02430 Транслитерация 2T812B Интервал рабочих температур от -45 до +85°C Макс. допустимое напряжение коллектор-эмиттер 500 V Макс. допустимое напряжение эммитер-база 6 V Макс. допустимый постоянный ток коллектора 8 A Максимальная мощность рассеивания 50 W Максимальный обратный ток, Iобр 10 mA Транзистор КТ812Б биполярный, кремниевый, мезапланарный, структуры n-p-n импульсный. Предназначен для применения в переключающих и импульсных устройствах. Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ812Б n-p-n 500 500 8000 (12000) (50) 4 5000 3 <2.5 КТ812В 300 300 8000 (12000) (50) 10 5000 3 <2.5 2Т812А 700 700 10000 (17000) (50) 5 5000 3 <2.5 2Т812Б 500 500 10000 (17000) (50) 5 5000 3 <2.5 Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Характеристики
Основные
Максимально допустимое напряжение коллектор-база400 В
Тип монтажаРучной монтаж
Тип биполярного транзистораN-P-N
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер200 В
Максимально допустимый ток коллектора12 А
Максимальная мощность рассеивания50 Вт
Тип транзистораБиполярный
Материал корпусаМеталлокерамика
Пользовательские характеристики
Техническое описаниескачать PDF в спецификации
NPNPOWER TRANSISTOR
Информация для заказа
  • Цена: 140,80 ₴