
2Т974А транзистор NPN (2A 80В) 900Мгц Au КТ-3 (ТО-39)
586,50 ₴
- В наличии
- Код: 2Т974А
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
2Т974А транзистор NPN (2A 80В) 900Мгц Au (КТ-3 (ТО-39) 2Т974А Транзисторы 2Т974А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,5 г. Тип корпуса: КТ-2-7. Технические условия: аА0.339.287 ТУ. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Технические характеристики транзисторов 2Т974А, 2Т974Б, 2Т974В, 2Т974Г: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК. Т. max h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С 2Т974А p-n-p 2 10 70 80 3 5 10…120 <1 <5 <5 <5 >900 <80 <160 150 -60…+125 2Т974Б p-n-p 2 10 60 60 3 5 10…120 <0,6 <5 <5 <5 >900 <80 <160 150 -60…+125 2Т974В p-n-p 2 10 50 50 3 5 10…120 <1 <5 <5 <5 >900 <80 <160 150 -60…+125 2Т974Г p-n-p 2 10 60 60 3 5 10…120 <0,6 <5 <5 <5 >900 <80 <160 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Производитель | Эталон |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 2 А |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Пользовательские характеристики | |
| Техническое описание: | скачать PDF в спецификации |
Информация для заказа
- Цена: 586,50 ₴

