КТ807Б транзистор NPN (1,5А 100В) 10W (h21Э =30…100)

КТ807Б транзистор NPN (1,5 А 100 В) 10 W (h21Е 30...100) Наїмен. тип Uкбо (і), В Uкео (і), В Iкmax (і), мА Pкmax (т), Вт h21е Iкбо, мкА fг., МГц Uкen, В КТ807 n-p-1500) (10) 5000 5 КБ - Максимально допустима напруга колектор-база Uкбої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-база Uкео — Максимально допустима напруга колектор-емітер Uкеої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-емітер Iкmax - Максимально допустимий постійний струм колектора Iкmax і — Максимально допустимий імпульсний струм колектора Pкmax — максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без тепловідведення Pкmax т - Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора в схемі із загальним імітером Iкбо — Зворотний струм колектора fгор — гранічна частота передавання струму в схемі із загальним емітером Uкen — напруга насичення колектор-емітер Найменування КТ807Б ТО-126 Транзистор Функціональний тип біполярний Структура n-p-n Мінімальна напрацювання 10 000 год. Мінімальний термін зберігання, років 6 Дата випуску Торгова марка АО Іскра, Ульяновск ТУ 3.365.005 ТУ Краєвид приймання "1" Матеріал корпусу металопластмасовий Тип виведення гнучкий Робоче положення будь-яке Фактичне маркування КТ807Б НаявніТ паспорта-етикетки паспорт Тип паковання пластмасова коробка Доупаковка Поролон Стан пачки заводська Кратність відвантаження 1 Габаритні розміри L*W*H 20х4,5х22 Висота корпусу 8 mm Маса виробу, гр. 2,4 Вміст золота в 1 шт., gr 0,0001122 Завугітні аналоги MPSU07 Англійська транскрипція Transistor KT807В Інтервал робочих температур від -40 до +45 Відносна вологість до 98% за температури +30 °C Макс. допустима напруга колектор-емітер 100 V Макс. допустима напруга еммітер-база 4 V Макс. допустимий постійний струм колектора 0,5 A Максимальна потужність розсіювання 10 W Статичний коефіцієнт передавання струму 30-100 Транзистор КТ807Б біполярний, кремнієвий, мезапланарний, структури p-n-p, універсальний. Призначений для застосування в генераторах кадрової та рядкової розкруток, підсилювачах низької частоти, джерелах вторинного електроживлення.