
КТ912Б транзистор биполярный NPN (20А 80В) (h21э:20-100) 30W
281,50 ₴
- В наличии
- Код: КТ912Б
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
КТ912Б транзистор биполярный NPN (20А 80В) (h21э:20-100) 30W КТ912Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В. Транзисторы КТ912А, КТ912Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод-датчик температуры. Тип прибора указываются на корпусе. Масса транзистора не более 45 г. Тип корпуса: КТ-5 (ТО-63). Технические условия: аА0.336.016 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ912Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (70В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 70 Вт на частоте 30 МГц Наименование КТ912Б Транзистор Функциональный тип биполярный Типоразмер корпуса КТ-52 Структура n-p-n Дата выпуска от 1988 Торговая марка ГП НИИ Пульсар, Москва Страна происхождения СССР Вид приемки "5" Материал корпуса металлокерамика Тип вывода жесткий Рабочее положение любое Фактическая маркировка КТ912Б Вид упаковки полиэт.пакет Состояние упаковки самоупаковка Кратность отгрузки 1 Габаритные размеры L*W*H 22х26 Высота корпуса 12,5 mm Длина выводов 13,5 mm Масса изделия, гр. 27 Английская транскрипция Transistor КT912В Макс. допустимое напряжение коллектор-эмиттер 80 V Макс. допустимое напряжение эммитер-база 5 V Макс. допустимый постоянный ток коллектора 20 A Максимальная мощность рассеивания 30 W Максимальный обратный ток, Iобр 50 mA Статический коэффициент передачи тока 20-100 Транзисторы 2Т912Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Применяются в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Максимально допустимый ток коллектора | 20 А |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Пользовательские характеристики | |
| NPN | POWER TRANSISTOR |
| Страна происхождения | ссср |
Информация для заказа
- Цена: 281,50 ₴

