Корзина
461 отзыв
LED освещение и радиоэлектронные компоненты
+380976081204
+380976081204
+380636643636
+380957540101
  • picture 1
  • picture 2
  • picture 3
  • 1
  • 2
  • 3

КТ683Б транзистор NPN (2,0А 120В) 8W (ТО126)

  • В наличии
  • Код: КТ683Б

7,50 грн.

Минимальная сумма заказа на сайте — 30 грн.

+380976081204
Киевстар
  • +380636643636
    Lifecell
  • +380957540101
    Vodafone
  • График работы
  • Адрес и контакты
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
КТ683Б транзистор NPN (2,0А 120В) 8W (ТО126)
КТ683Б транзистор NPN (2,0А 120В) 8W (ТО126)В наличии
7,50 грн.
+380976081204
Киевстар
  • +380636643636
    Lifecell
  • +380957540101
    Vodafone
Купить

Описание

КТ683Б транзистор NPN (2,0А 120В) 8W (ТО126) Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Транзисторы КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126). Технические условия: аА0.336.802 ТУ. Корпус: Характеристики транзисторов КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С КТ683А n-p-n 1 2 150 150 7 1,2 (8) 40…120 <0,45 <1 - - >50 <15 <65 150 -60…+125 КТ683Б n-p-n 1 2 120 120 7 1,2 (8) 80…240 <0,45 <1 - - >50 <15 <65 150 -60…+125 КТ683В n-p-n 1 2 120 120 7 1,2 (8) 40…120 <0,45 <1 - - >50 <15 <65 150 -60…+125 КТ683Г n-p-n 1 2 100 100 5 1,2 (8) 40…120 <0,45 <1 - - >50 <15 <65 150 -60…+125 КТ683Д n-p-n 1 2 60 60 5 1,2 (8) 80…240 <0,45 <1 - - >50 <15 <65 150 -60…+125 КТ683Е n-p-n 1 2 60 60 5 1,2 (8) 160…480 <0,45 <1 - - >50 <15 <65 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики

Основные
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистора  N-P-N
Материал корпуса Пластик
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер120.0 (В)
Максимально допустимый ток коллектора2.0 (А)
Максимальная мощность рассеивания8.0 (Вт)
Тип монтажаРучной монтаж
Дополнительные характеристики
Техническое описаниескачать PDF в спецификации

Информация для заказа

  • Цена: 7,50 грн.