КТ801А транзистор NPN (2А 80В) 5W (КТЮ-3-9) кремниевые сплавно-диффузионные

КТ801А транзистор NPN (2А 80В) 5W (КТЮ-3-9) кремниевые сплавно-диффузионные КТ801А Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 г. Тип корпуса: КТЮ-3-9. Технические условия: ЩЫ3.365.001 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ801А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 мА (80В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 13... 50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом Технические характеристики транзисторов КТ801А, КТ801Б: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ А А В В В Вт В мА мА МГц дБ пФ пФ °С °С КТ801А n-p-n 2 - 80 - 2,5 5 13…50 2 - 2 10 - - - 150 -60…+85 КТ801Б n-p-n 2 - 60 - 2,5 5 30…150 2 - 2 10 - - - 150 -60…+85 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • КШ - коэффициент шума транзистора. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.