2Т610Б транзистор NPN кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n посилені >700 МГц (КТ-16-2)

2Т610Б транзистор NPN кремнієві епітоксиально-планарні структури n-p-n посилені >700 МГц (КТ-16-2) Зображення слугують тільки для ознайомлення См. специфікації продукту 2Т610Б Транзистори 2Т610Б кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах напруги та потужності. Випускаються в металокерамічному корпусі з гнучкими смужковими виведеннями. Тип приладу вказується в етикетці. Маса транзизора не більш ніж 0,4 г. Тип корпусу: КТ-16-2. Технічні умови: Я53.365.009 ТУ. Основні технічні характеристики транзизора 2Т610Б: • Структура транзизора: n-p-n; • РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 1,5 Вт; • fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 700 МГц; • Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 26 В; • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 4 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 0,5 мА (26 В); • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: 20...250; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 4,1 ПФ; • Кш — Коефіцієнт шуму транзистори: не більш ніж 2 дБ на частоті 200 МГц; • tк — Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більш ніж 55 пс Технічні характеристики транзисторів 2Т610А, 2Т610Б: Тип транзистори Структура Графічні значення параметрів за ТП=25 °C Значення параметрів за ТП max IK max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК. Т. max h21Э UКЭ нас. IКБО IЕБО IКЕРR f Гp. СК СЕ А В В В В Вт В мА мА МГц ПФ ПФ Ц Ц Ц ЦП КФ °C 2Т610А n-p-n 0,3 - 26 26 4 1,5 50...250 - <0,5 <0,1 ->1000 <4,1 <21 150 -60...+125 Умовні позначення електричних параметрів n-p-n 0,3 - 26 4 1,5 20... транзисторів: • IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора. • IК. І. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзизора. • UKER max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер. • UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, рівною нулю. • UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора. • UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • IKER — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер. • f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • СК — місткість колекторного переходу. • СЕ — ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.