2Т610Б транзистор NPN кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные >700 МГц (КТ-16-2)

2Т610Б транзистор NPN кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные >700 МГц (КТ-16-2) Изображения служат только для ознакомления См. спецификации продукта 2Т610Б Транзисторы 2Т610Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,4 г. Тип корпуса: КТ-16-2. Технические условия: Я53.365.009 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2Т610Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 700 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 26 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (26В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20...250; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,1 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 200 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 55 пс Технические характеристики транзисторов 2Т610А, 2Т610Б: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК. Т. max h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С 2Т610А n-p-n 0,3 - 26 26 4 1,5 50…250 - <0,5 <0,1 - >1000 <4,1 <21 150 -60…+125 2Т610Б n-p-n 0,3 - 26 26 4 1,5 20…250 - <0,5 <0,1 - >700 <4,1 <21 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.