КП306А (UЗ1І відс = 0,8...4) транзистор польові з двома ізолер. затворами, каналом n-типу (150 mW 20 В) Au

КП306А N-FET (150 mW 20 В) Au транзистор кремнієві дифузійно-планарні польові з двома ізольованими закривами, каналом n-типу та нормаційною ділянкою перехідної характеристики. КП306А Транзистори КП306А, КП306Б, КП306В кремнієві дифузійно-планарні польові з двома ізольованими закривами, каналом n-типу та нормаційною ділянкою перехідної характеристики. Призначені для застосування в перетворювальних і посилених каскадах високої та низької частот із високим вхідним опором. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 0,5 г. Тип корпусу: КТ-1-12. Технічні умови: ТФ0.336.002 ТУ. Характеристики польових транзисторів із двома ізольованими затворами та каналом n-типу КП306А, КП306Б, КП306В: Тип польового транзистора Р макс Граничні значення параметрів за Т=25 °C Значення параметрів під час Т = 25 °C Токр UСІ макс UЗ1С макс UЗ2С макс UЗ1 макс UЗ2І макс UЗ1 З2 макс IС макс UЗ1И відс IЗ1 кач S1 IС нач C11І1 C12И1 Кш Кур мВт В В В В В В мА МА В НОА МА/В мА/В мА ПФ Ф дБ ·Б ·С КП306А 150 20 20 20 20 20 20 20 0.8 <0 - -60...+125 КП306В 150 20 20 20 20 20 20 1,3...6 <5 4...8 — <5 <0,7 <6 — -60...+125 Условні позначення електричних параметрів польових транзисторів: • РМАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистара. • UСІ МАКС — максимально допустима напруга стік-висток. • UЗ1С МАКС — максимально допустима напруга перший затвор-сток. • UЗ2С МАКС — максимально допустима напруга другий затвор-сток. • UЗ1І МАКС — максимально допустима напруга перший затвор-висток. • UЗ2І МАКС — максимально допустима напруга другий затвор-висток. • UЗ1 З2 МАКС — максимально допустима напруга між затворами. • IC МАКС — максимально допустимий струм стоку польового транзистора. • UЗ1І ОТС — напруга відсікання польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення. • IЗ1 УТ — струм витоку першого затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою. • S1 — крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінного струму на виході транзистори в схемі із загальним джерелом. • IC НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення. • C11І1 — вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом. • C12И2 — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом. • КШ — коефіцієнт шуму польового транзизора. • КУР — коефіцієнт посилення за потужністю польового транзизора. • Т ОКР — температура довкілля.