КП306А (UЗ1И отс =0,8…4) транзистор полевые с двумя изолир. затворами, каналом n-типа (150 mW 20В) Au

КП306А N-FET (150 mW 20В) Au транзистор кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики. КП306А Транзисторы КП306А, КП306Б, КП306В кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Технические условия: ТФ0.336.002 ТУ. Характеристики полевых транзисторов с двумя изолированными затворами и каналом n-типа КП306А, КП306Б, КП306В: Тип полевого транзистора Р макс Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Токр UСИ макс UЗ1С макс UЗ2С макс UЗ1И макс UЗ2И макс UЗ1 З2 макс IС макс UЗ1И отс IЗ1 ут S1 IС нач C11И1 C12И1 Кш Кур мВт В В В В В мА мА В нА мА/В мА пФ пФ дБ дБ °С КП306А 150 20 20 20 20 20 25 20 0,8…4 <5 4…8 - <5 <0,7 <6 - -60…+125 КП306Б 150 20 20 20 20 20 25 20 0,2…4 <5 4…8 - <5 <0,7 <6 - -60…+125 КП306В 150 20 20 20 20 20 25 20 1,3…6 <5 4…8 - <5 <0,7 <6 - -60…+125 Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: • Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора. • UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток. • UЗ1С МАКС - максимально допустимое напряжение первый затвор-сток. • UЗ2С МАКС - максимально допустимое напряжение второй затвор-сток. • UЗ1И МАКС - максимально допустимое напряжение первый затвор-исток. • UЗ2И МАКС - максимально допустимое напряжение второй затвор-исток. • UЗ1 З2 МАКС - максимально допустимое напряжение между затворами. • IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора. • UЗ1И ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. • IЗ1 УТ - ток утечки первого затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой. • S1 - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. • IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения. • C11И1 - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком. • C12И2 - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. • КШ - коэффициент шума полевого транзистора. • КУР - коэффициент усиления по мощности полевого транзистора. • Т ОКР - температура окружающей среды.