КТ506Б (Ni) транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5)

КТ506Б транзистор NPN (IК. И. max=5А) (UКЭ0 max=600В) (ТО5) ранзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы КТ506А, КТ506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Тип корпуса: КТ-2 (ТО-39). Технические условия: аА0.336.653 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ506Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 600 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 150; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 40 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом Технические характеристики транзисторов КТ506А, КТ506Б: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ А А В В В Вт В мА мА МГц дБ пФ пФ °С °С КТ506А n-p-n 2 5 800 800 5 0,8 (10) >30 0,6 1 1 10 - 40 1100 150 -45…+100 КТ506Б n-p-n 2 5 600 600 5 0,8 (10) >30 0,6 0,2 1 10 - 40 1100 150 -45…+100 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • КШ - коэффициент шума транзистора. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.