КТ505А транзистор PNP (IК. И. max=2А) (UКЭ0 max=300В) Au (ТО5)

КТ632Б транзистор PNP (350 мА 120В) Au (ТО5) КТ505А Транзисторы КТ505А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах. Транзисторы КТ505А, КТ505Б, КТ505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г. Тип корпуса: КТ-2 (ТО-39). Технические условия: аА0.336.683 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ505А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 140; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом Технические характеристики транзисторов КТ505А, КТ505Б, КТ505В: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С КТ505А p-n-p 1 2 300 300 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+100 КТ505Б p-n-p 1 2 250 250 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+100 КТ505В p-n-p 1 2 300 300 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+100 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.