КП303І транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Ni (ТО72)

КП303І транзисстор польовий N-FET (200 mW 30 В) Ni (ТО72) КП303І Транзистори КП303І кремнієві епітаксіально-планарні польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу. Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти КП303Д, КП303Е та низької КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303 частот із високим вхідним опором. Транзистори КП303Г загалом призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших пристроях жирової спектрометрії. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 0,5 г. Тип корпусу: КТ-1-12. Технічні умови: Ц20.336.601 ТУ. Основні технічні характеристики транзизора КП303І: • Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом; • Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 200 мВт; • Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: 0,5... 2 В; • Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 25 В; • Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 30 В; • Uзі max — Максимальна напруга затворів-висток: 30 В; • Iс — Строк (постійний): 20 мА; • Iс нач — Початковий струм стоку: 1,5...5 мА; • S — Крутизна характеристики: 2... 6 мА/В; • С11і — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 6 ПФ; • С12и — Ємність зворотного зв'язку в схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 2 пФ Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303КП303, КП303: Тип польового транзизора Р МАКС f МАКС Граничні значення параметрів за Т = 25 °C Значення параметрів за Т = 25 °C Т ОКР UСІ МАКС UЗС МАКС UЗІ МАКС AC МАКС UДІ ВІДС g22І IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ МВ МГц В В В МА В мКСА В мА/В ПФ ДБ КПА 30 °CА 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85 КП303Б 200 - 25 30 30 20 0,5…3 - <1 1…4 0,5…2 <6 <2 - -40…+85 КП303В 200 - 25 30 30 20 1…4 - <1 2…5 1,5…5 <6 <2 - -40…+85 КП303Г 200 - 25 30 30 20 <8 - <0,1 3…7 3…12 <6 <2 - -40…+85 КП303Д 200 - 25 30 30 20 <8 — <1 >2,6 3...9 <6 <2 <4 -40...+85 КП303Е 200 - 25 30 30 30 20 <8 - <1>4 5...20 <6 <2 <4 -40...+85 КП303Ж 200 - 25 30 20 0,3 -3 - <5 1...4 0,3...3 <6 <2 -40...+85 КП303И 200 - 25 30 20 20 0,52 -6 Мап <5 <62 -4 <5 <4+185+52" параметрів польових транзисторів: • Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистора. • f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзизора. • UСІ МАКС — максимально допустима напруга стік-висток. • UЗС МАКС — максимально допустима напруга затвор-сток. • UЗИ МАКС — максимально допустима напруга затворів-висток. • IC МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзизора. • UЗИ ОТС — напруга відсікання польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення. • g22 — активний складник вихідної провідності польового транзизора в схемі із загальним споконвом. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою. • S — крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінного струму на виході транзистори в схемі із загальним джерелом. • IC НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення. • C11І — вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом. • C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом. • КШ — коефіцієнт шуму транзизора. • Т ОКР — температура довкілля.