КТ831Г транзистор NPN (4A 90В) Au КТ-3 (ТО-39)

КТ831Г транзистор NPN (4A 90В) Au КТ-3 (ТО-39) КТ831Г Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях. Корпус транзистора КТ831А, КТ831Б, КТ831В, КТ831Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзисторов не более 2 г. Тип корпуса: КТ-2 (ТО-39). Технические условия: АДБК.432150.125 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ831Г: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 100 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом Технические характеристики транзисторов КТ831А, КТ831Б, КТ831В, КТ831Г: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мА МГц пФ пФ °С °С КТ831А n-p-n 2 4 30 35 5 1 (5) >25 <0,6 <100 <1000 - >4 <150 <350 150 -60…+100 КТ831Б n-p-n 2 4 50 60 5 1 (5) >25 <0,6 <100 <1000 - >4 <150 <350 150 -60…+100 КТ831В n-p-n 2 4 70 80 5 1 (5) >25 <0,6 <100 <1000 - >4 <150 <350 150 -60…+100 КТ831Г n-p-n 2 4 90 100 5 1 (5) >20 <0,6 <100 <1000 - >4 <150 <350 150 -60…+100 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.