2Т878А транзистор кремнієвий NPN (30 А 800 В) 100 W

2Т878А транзистор кремнієвий NPN (30 А 800 В) 100 W 2Т878А Транзистори 2Т878А кремнієві епітоксиально-планарні структури n-p-n перемикачні. Призначені для застосування в перемикачних пристроях, імпульсних модуляторах, у джерелах вторинного електроживлення. Випускаються в металевому корпусі з жорсткими виведеннями та скляними ізоляторами. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 17 г. Тип корпусу: КТ-9 (ТО-3). Технічні умови: АА0.339.574 ТУ. Основні технічні характеристики транзистори 2Т878А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 100 Вт; • fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним емітером: понад 10 МГц; • UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 900 В (0,01кОм); • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 5 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 25 А; • Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 50 А; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 3 мА (900 В); • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним імітером: 12... 50; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 500 ПФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 0,1 Ом; • trрас — Час розсмоктування: не більш ніж 3000 нс Технічні характеристики транзисторів 2Т878А, 2Т878Б, КТ878А, КТ878Б, КТ878В: Тип транзисора Структура Гранді для попередніх значень за Тп = 25 °C Значення параметрів за ТП=25 °C TП max T max IK max IK. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЕБО IКЕРR f Гp. СК СЕ А В В В Вт В мА мА МГц ПФ ПФ Ц Ц ЦП ЦШШКС 2Т878А n-p-n 25 30 800 — 6 2 (100) 12...50 <1,5 <3 <40 ->10 <500 <10000 150 -60...+125 2Т878Б n-p-n 25 600 - 6 2 (100) 12... <1,5 <3 <40 ->10 <500 <10000 150 -60...+125 КТ878Б n-p-n 25 30 600 — 6 2 (100) 12...50 <1,5 <3 <40 ->10 <500 <10000 150 -60...+125 КТ878В n-p-n 25 30 600 - 6 2 (100) 12...50 <1,5 <340 ->10500 <10000 150 -60+5ловні позначення електричних кілок параметрів транзисторів: • IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзистора. • IК. І. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзизора. • UKER max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюзі база-емітер. • UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, рівною нулю. • UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • IKER — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер. • f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • СК — місткість колекторного переходу. • СЕ — ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.