П217Б транзистор германієвий PNP (7,5 А 60 В) (h21Е >20) 30 W

П217Б транзистор германієвий PNP (7,5 А 60 В) 30 W П217Б Транзистори П217Б германієві сплавні структури p-n-p універсальні. Призначені для застосування в перемикачах, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Випускаються в металостекуваному корпусі з жорсткими виведеннями. Тип приладу вказаний на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 12,5 г, кріпильного фланця не більш ніж 4,5 г. Основні технічні характеристики транзистора П217Б: • Структура транзистори: p-n-p • Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21е — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схем із загальним імітером: не менш ніж 0,2 МГц; • Uкбоб — Пробивна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 60 В; • Uебо проб — Пробивна напруга емітер-база за заданого зворотного струму емітера та розімкнутого кола колектора: 15 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 0,5 мА; • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзистори в режимі малого сигналу для схем із загальним імітером: понад 20; • Rке нас — Опір насичення між колектором і евітером: не більш ніж 0,5 Ом Зображення слугують тільки для ознайомлення См. специфікації продукту Корпус: Технічні характеристики транзисторів П217, П217А, П217Б, П217Б, П217В, П217В, П217Г: Тип транзистори Структура Граничні значення параметрів за ТП = 25 °C Значення параметрів за ТП = 25 °C TП max T max IK max IK. И. max UКЭ0 max UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБ IЕБО f Гp. КШ СК СЕ А А В В В В Вт В мкА мкА МГц дБ ПФ ЦП ЦП ЦП П217 p-n-p 7,5 - 60 15 15 (30) >15 1 0,5 50 0,1 - 85 - 60...+70 П217А p-n-p 7,5 - 60 60 - 85 - 60... p-n-p 7,5 — 60 15 (24) >5 3 20 0,1 — — 85 -60...+70 П217Г p-p 7,5 - 60 60 15 (24) 15...40 1 3 20 0,1 - - 85 -60...+70 Условні позначення електричних параметрів транзисторів: • IK max - максимально допустимий постійний струм колектора транзизора. • IК. І. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзизора. • UKER max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюзі база-емітер. • UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, рівною нулю. • UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • f г — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • КШ — коефіцієнт шуму транзизора. • СК — місткість колекторного переходу. • СЕ — ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.